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J-GLOBAL ID：200902230390138730   整理番号：09A0165070

450nmのInGaN発光ダイオード構造における電子溢れの測定

Measurement of electron overflow in 450 nm InGaN light-emitting diode structures

著者 (5件)： VAMPOLA Kenneth J. (Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA) ,  IZA Michael (Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KELLER Stacia (Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 6  ページ： 061116  発行年： 2009年02月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的バイアス条件下の発光ダイオード(LED)の電子溢れの存在を測定するための試験構造を開発した。試験構造は電子遮断層のp型側上に挿入した余分のMgドープ量子井戸を有する標準のLED構造からなる。活性領域から逃散する電子は余分な量子井戸中で再結合し,対応する光子放出が観測された。低電流密度では電子溢れは観測されなかった。効率が低下する中間の電流密度では溢れが観測され,電流密度増加と共に増大した。電子溢れは効率低下開始よりも低い電流密度で開始した。従来の溢れ機構に加えて,Auger過程の副産物であるAuger支援溢れを考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *オーバフロー ,  量子井戸 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  *Auger効果
準シソーラス用語： *電子溢れ

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  発光ダイオード ,  電子 ,  溢れ