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J-GLOBAL ID：200902230753807672   整理番号：07A0992923

プラズマ窒化素子の負バイアス温度不安定性に関与する原子規模の欠陥構造の同定

Identification of atomic-scale defect structure involved in the negative bias temperature instability in plasma-nitrided devices

著者 (4件)： CAMPBELL J. P. (The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  LENAHAN P. M. (The Pennsylvania State Univ., Univ. Park, Pennsylvania 16802, USA) ,  KRISHNAN A. T. (Texas Instruments, Dallas, Texas 75343, USA) ,  KRISHNAN S. (Texas Instruments, Dallas, Texas 75343, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 91  号： 13  ページ： 133507-133507-3  発行年： 2007年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン依存トンネリングと呼ぶ極めて高感度のスピン共鳴技術を用...

シソーラス用語： *イオン窒化 ,...
準シソーラス用語： *プラズマ窒化 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ窒化 ,  負バイアス温度不安定性 ,  原子 ,  規模 ,  欠陥構造 ,  同定