文献
J-GLOBAL ID：200902231083519570
整理番号：03A0717282
液相堆積シリコン酸化膜/シリコン界面特性の改善
The Improvement of the Characteristics of Liquid Phase-Deposited Silicon Dioxide/Silicon Interface
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
123
号：
10
ページ：
1695-1699
発行年：
2003年10月01日
JST資料番号：
S0810A
ISSN：
0385-4221
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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2膜をゲート絶縁膜と...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般
, トランジスタ
, 酸化物薄膜
引用文献 (8件)：
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(1) H. Nagayama, H. Honda, and H. Kawahara: “A New Process for Silica Coating”, J. Electrochem. Soc., Vol. 135, No. 8, pp. 2013-2016 (1985)
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(2) H. Kawahara: “Liquid Phase Deposition”, NEW GLASS, Vol. 5, No. 1, pp. 101-109 (1990-1) (in Japanese)
河原秀夫:「液相成膜法について」, NEW GLASS, 5, 1, pp. 101-109 (1990-1)
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(3) T. Sakai, T. Goda, A. Hishinuma, and H. Kawahara: “Advanced Process for SiO2 Film Deposited in Aqueous Solution”, Proc. Int. Ceramics Conf., Western Australia, pp. 474-479 (1990)
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(4) S. Yoshitomi, S. Tomioka, and N. Haneji: “The Characteristics of Si MOS Diodes using the SiO2 Films Prepared by the Liauid Phase Deposition”, Proc. Electron Devices and Materials Sympo., Taipei, pp. 22-25 (1992)
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(5) S. Yoshitomi, S. Tomioka, and N. Haneji: “Characteristics of Si MOS Diodes Using Liquid Phase Deposited SiO2 Films as Gate Insulators”, Trans. IEICE, Vol. J76-C-II, No. 4, pp. 110-117 (1993-4) (in Japanese)
吉富貞幸・富岡聡志・羽路伸夫:「ゲート絶縁膜に液相堆積法によるSiO2膜を用いたSi MOSダイオードの諸特性」, 信学論誌, J76-C-II, 4, pp. 110-117 (1993-4)
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