ポリチオフェンをベースにした電界効果トランジスタのデバイス特性に及ぼす湿気の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902231116097510 整理番号：04A0382538

Influence of moisture on device characteristics of polythiophene-based field-effect transistors

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著者 (7件)：

HOSHINO S

HOSHINO S について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)