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J-GLOBAL ID：200902231151520182   整理番号：05A0578718

NANDフラッシュメモリのトンネル酸化物の信頼性とデータ保持特性に対するストッピング窒化物からの機械的ストレスの効果

The Effect of Mechanical Stress from Stopping Nitride to the Reliability of Tunnel Oxide and Data Retention Characteristics of NAND FLASH Memory

著者 (8件)： OM Jaechul (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  CHOI Eunseok (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Sejun (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  LEE Heegee (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Yongwook (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  CHANG Heehyun (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Sungki (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  BAE Gihyun (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 43rd  ページ： 257-259  発行年： 2005年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュメモリにおいて最重要であるデータ保持特性は...

シソーラス用語： *フラッシュメモリ ,...
準シソーラス用語： トンネル酸化物

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： NANDフラッシュメモリ ,  トンネル ,  酸化物 ,  保持特性 ,  窒化物 ,  機械的ストレス