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J-GLOBAL ID：200902231597995664   整理番号：08A0914309

ゲルマニウムの金属-酸化物-半導体デバイス用のLu₂O₃/Al₂O₃ゲート絶縁体

Lu₂O₃/Al₂O₃ gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices

著者 (8件)： DARMAWAN P. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  CHAN M. Y. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  ZHANG T. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  SETIAWAN Y. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  SENG H. L. (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  CHAN T. K. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP) ,  OSIPOWICZ T. (Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP) ,  LEE P. S. (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 6  ページ： 062901  発行年： 2008年08月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Lu₂O₃/Al₂O₃高κ絶縁スタック中へのGeの外方拡散の影響を調べた。アニール温度の上昇に従いGe信号強度の増加が観測され,高κ膜中への過剰Geの混入があることが示唆された。電気特性により,アニール温度に従ってκ値が向上すると同時に漏れ電流密度が増加し,Geの混入により電気特性が劣化することが分かった。この結果から,膜中への8.8%Geは過剰であり,漏れ電流が増加してデバイスの電気性能が劣化することが示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  *酸化ルテニウム ,  *酸化アルミニウム ,  積層構造 ,  *絶縁膜 ,  基板 ,  ゲルマニウム ,  RTA【熱処理】 ,  温度依存性 ,  熱拡散 ,  *MOS構造 ,  誘電率 ,  漏れ電流 ,  容量電圧特性 ,  捕獲中心 ,  膜厚
準シソーラス用語： 界面捕獲密度 ,  CET【膜厚】 ,  EOT

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  Lu2O3 ,  Al2O3 ,  ゲート絶縁体