DARMAWAN P. について
School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP について
CHAN M. Y. について
School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP について
ZHANG T. について
School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP について
SETIAWAN Y. について
School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP について
SENG H. L. について
Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ... について
CHAN T. K. について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP について
OSIPOWICZ T. について
Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, 2 Sci. Drive 3, Singapore 117542, SGP について
LEE P. S. について
School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP について
Applied Physics Letters について
MOS集積回路 について
ゲート【半導体】 について
酸化ルテニウム について
酸化アルミニウム について
積層構造 について
絶縁膜 について
基板 について
ゲルマニウム について
RTA【熱処理】 について
温度依存性 について
熱拡散 について
MOS構造 について
誘電率 について
漏れ電流 について
容量電圧特性 について
捕獲中心 について
膜厚 について
界面捕獲密度 について
CET【膜厚】 について
EOT について
誘電体一般 について
酸化物薄膜 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
ゲルマニウム について
酸化物 について
半導体デバイス について
Lu2O3 について
Al2O3 について
ゲート絶縁体 について