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J-GLOBAL ID：200902231629819006   整理番号：09A0494819

レーザ走査およびアルカリエッチングによる単結晶シリコン上のパターン形成

Patterning on single crystalline silicon by laser scanning and alkaline etching

著者 (2件)： HOSONO Takashi (Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, JPN) ,  TOKURA Hitoshi (Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 255  号： 15  ページ： 6857-6861  発行年： 2009年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小規模マイクロエレクトロメカニカルシステムデバイスに対するレーザ加工の適用可能性を,本論文で論議する。この単純な工程は従来の大量生産を意図して設計した複雑な工程を置き換えるだろう。アブレーション,隆起あるいは表面改質が,シリコン中へのアルゴンイオンレーザ走査により発生することが明らかにされた。これらのどれが生じるかは,レーザパワーに依存する。隆起は酸化物の薄い層により覆われていることが分かった。しかしながら改質表面の酸化は,幾つかの結果がそれを示唆しているとは言え,確立されてはいない。表面改質はきめの粗い隆起よりも,表面パターン形成により適合する。というのはレーザ改質した表面をKOHエッチングにおいてマスクとして使用し,鋭利なパターンを作ることができるからである。パターン幅制御,大面積にわたるパターン形成および16ビット線形目盛り作製を明示することにより,この手法の適応可能性を示した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光走査 ,  *エッチング ,  *パターン形成 ,  *レーザ加工 ,  隆起 ,  表面改質 ,  レーザ出力 ,  水酸化カリウム ,  マスク ,  レーザアブレーション ,  *マイクロマシニング ,  *MEMS ,  Arレーザ ,  酸化膜
準シソーラス用語： *レーザ走査 ,  *単結晶シリコン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザ走査 ,  アルカリエッチング ,  単結晶シリコン ,  パターン形成