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J-GLOBAL ID：200902231966842753   整理番号：08A0499655

GaInN/GaN量子井戸発光ダイオードの接合温度測定と熱モデリング

Junction Temperature Measurements and Thermal Modeling of GaInN/GaN Quantum Well Light-Emitting Diodes

著者 (9件)： SENAWIRATNE J. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  LI Y. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  ZHU M. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  XIA Y. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  ZHAO W. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  DETCHPROHM T. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  CHATTERJEE A. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  PLAWSKY J. L. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  WETZEL C. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 37  号： 5  ページ： 607-610  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロRaman分光法により,バルクGaN基板とサファイア基板の上に成長したGaInN/GaN量子井戸(QW)青色・緑色発光ダイオード(LED)の接合温度を測定した。このLEDは,有機金属気相エピタクシーにより成長したP型GaN層と,サファイア上のN型GaNまたはGaN基板の間に挿入した,五層のc面GaInN/GaN QWから成る。この接合温度は,基板材料の熱特性および水平と垂直方向の放熱により強く影響された。GaN基板上に成長したLEDの熱抵抗は75K/Wであり,冷却効率は優れていた。サファイア基板上のLEDの熱抵抗は,425K/Wと高かった。三次元有限要素熱シミュレーションの結果は実験結果と良く一致し,熱モデルを検証できた。

シソーラス用語： 窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  半導体接合 ,  *温度測定 ,  熱分析 ,  モデリング ,  熱抵抗 ,  Raman分光法 ,  温度分布

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  温度測定,温度計  (AD06010K)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  量子井戸 ,  発光ダイオード ,  温度測定 ,  熱モデリング