多結晶シリコンとTiN電極によるHfO<sub>2</sub>トランジスタの物理的比較

LYSAGHT P. S.; FORAN B.; BERSUKER G.; PETERSON J. J.; YOUNG C. D.; MAJHI P.; LEE B-H.; HUFF H. R.

文献

J-GLOBAL ID：200902231979167184 整理番号：05A0827961

多結晶シリコンとTiN電極によるHfO₂トランジスタの物理的比較

Physical comparison of HfO₂ transistors with polycrystalline silicon and TiN electrodes

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資料名：
巻： 87 号： 8 ページ： 082903.1-082903.3 発行年： 2005年08月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

O₃酸化したSi(100)基板上に上部...

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酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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多結晶シリコンとTiN電極によるHfO2トランジスタの物理的比較

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