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J-GLOBAL ID：200902232118947010   整理番号：06A0938833

超小型化MOSFETにおける井戸端部近傍効果のモデリング

Modeling the Well-Edge Proximity Effect in Highly Scaled MOSFETs

著者 (8件)： SHEU Yi-Ming (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Yi-Ming (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Ke-Wei (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  TIAN Shiyang (Synopsys, Inc., TX, USA) ,  YANG Sheng-Jier (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  WANG Chih-Chiang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Ming-Jer (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LIU Sally (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 11  ページ： 2792-2798  発行年： 2006年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFET井戸生成時に,フォトレジスト端部におけるイオン注...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： TCAD

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 小型化 ,  MOSFET ,  近傍 ,  モデリング