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J-GLOBAL ID：200902232498908780   整理番号：05A0541009

サファイア基板上の152GHzの電流利得遮断周波数を持つAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ

AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Current Gain Cut-off Frequency of 152 GHz on Sapphire Substrates

著者 (2件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 16-19  ページ： L475-L478  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート長(L_G)が60~250nmのA...

シソーラス用語： サファイア ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• 1) M. Micovic, N. X. Nguyen, P. Janke, W.-S. Wong, P. Hashimoto, L.-M. McCray and C. Nguyen: Electron. Lett. 36 (2000) 358.
• 2) V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 455.
• 3) A. Endoh, Y. Yamashita, K. Ikeda, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu and T. Mimura: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2368.
• 4) M. Higashiwaki and T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2005) L1147.
• 5) M. Higashiwaki and T. Matsui: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 139.

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア基板 ,  電流利得 ,  遮断周波数 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ