様々な厚みのIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄層及び量子井戸の過渡吸収に対する内部電場効果のポンプ-プローブ分光法による研究

OMAE K; KAWAKAMI Y; FUJITA S; NARUKAWA Y; MUKAI T

文献

J-GLOBAL ID：200902232521356138 整理番号：03A0755748

様々な厚みのIn_xGa_1-xN薄層及び量子井戸の過渡吸収に対する内部電場効果のポンプ-プローブ分光法による研究

Effects of internal electrical field on transient absorption in In_xGa_1-xN thin layers and quantum wells with different thickness by pump and probe spectroscopy.

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資料名：
巻： 68 号： 8 ページ： 085303.1-085303.5 発行年： 2003年08月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

活性層の厚みが,1)30nm(単一層),2)10nm(3周期...

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半導体の可視・紫外スペクトル

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様々な厚みのInxGa1-xN薄層及び量子井戸の過渡吸収に対する内部電場効果のポンプ-プローブ分光法による研究

様々な厚みのIn_xGa_1-xN薄層及び量子井戸の過渡吸収に対する内部電場効果のポンプ-プローブ分光法による研究