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J-GLOBAL ID：200902232751327650   整理番号：08A0942708

Si基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・グラファイト形成

著者 (8件)： 宮本優 (東北大 電通研) ,  宮本優 (JST-CREST) ,  末光眞希 (東北大 電通研) ,  末光眞希 (JST-CREST) ,  半田浩之 (東北大 電通研) ,  半田浩之 (JST-CREST) ,  今野篤史 (東北大 電通研) ,  今野篤史 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 404  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *グラファイト ,  超高真空 ,  焼なまし ,  電気材料 ,  Ramanスペクトル ,  *エピタクシー ,  *熱分解 ,  *グラフェン ,  *3C-炭化ケイ素 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  Si基板

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  3C-SiC ,  薄膜 ,  改質 ,  グラフェン ,  グラファイト