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J-GLOBAL ID：200902232756600524   整理番号：05A0330431

三次元転位動力学シミュレーションのSTI半導体構造への応用

Application of three-dimensional dislocation dynamics simulation to the STI semiconductor structure

著者 (4件)： IZUMI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAKE T. (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SAKAI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OHTA H. (Hitachi Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing  (Materials Science & Engineering. A. Structural Materials: Properties, Microstructure and Processing)
巻： A395  号： 1/2  ページ： 62-69  発行年： 2005年03月25日 
JST資料番号： D0589B  ISSN： 0921-5093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSI回路パターン作製におけるSTI(shallow tre...

シソーラス用語： 回路パターン形成 ,...
準シソーラス用語： 転位芯 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 転位動力学 ,  シミュレーション ,  STI ,  応用