高性能不揮発性HfO<sub>2</sub>ナノ結晶メモリ

LIN Y-H; CHIEN C-H; LIN C-T; CHANG C-Y; LEI T-F

文献

J-GLOBAL ID：200902233011305098 整理番号：05A0265539

高性能不揮発性HfO₂ナノ結晶メモリ

High-Performance Nonvolatile HfO₂ Nanocrystal Memory

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資料名：
巻： 26 号： 3 ページ： 154-156 発行年： 2005年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

900°Cの急速熱アニーリングによるスピノーダル相分離を用いた...

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半導体集積回路 , 酸化物薄膜

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高性能不揮発性HfO2ナノ結晶メモリ

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