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J-GLOBAL ID：200902233577870205   整理番号：04A0699877

インターデジタルゲートHEMTデバイスのコンダクタンス変調特性とその応用

著者 (5件)： HASHIM A M (北大) ,  竹内麻里子 (北大) ,  葛西誠也 (北大) ,  橋詰保 (北大) ,  長谷川英機 (北大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 65th  号： 3  ページ： 1260  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： インタディジタル型

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： HEMT ,  コンダクタンス ,  変調 ,  応用