高圧で生成したVHF H<sub>2</sub>プラズマの特性

YAMAUCHI Y.; TAKEUCHI Y.; TAKATSUKA H.; YAMASHITA H.; MUTA H.; KAWAI Y.

文献

J-GLOBAL ID：200902233893971145 整理番号：08A0647978

高圧で生成したVHF H₂プラズマの特性

Characteristics of VHF H₂ Plasma Produced at High Pressure

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資料名：
巻： 48 号： 4 ページ： 326-330 発行年： 2008年
JST資料番号： H0173A ISSN： 0863-1042 CODEN： BPPHAA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

薄膜太陽電池用に微結晶シリコン(μc-Si:H)が小バンドギャップ吸収材料として注目されている。SiH₄/H₂混合気体によるプラズマプロセシングにおける成膜速度を大きくする高ガス圧・小電極間隔成膜条件を探索するため,水素を模擬ガスとした60MHzのVHFプラズマのプラズマ特性をLangmuir探針で測定した。放電電極間隔は5mmで,多数の棒を並べて間隙を持たせた電極を用いた。ガス圧を高くするとイオン飽和電流は最大となった後に低下するが,電子温度はほぼ10eVで一定である。高ガス圧における壁ポテンシャルは,プローブ理論により電子温度から求めた値より低くなる。また,電子飽和電流の異常な低下が観測される。このことは,微結晶シリコン生成に有利な負イオンが大量に存在することを示唆している。

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プラズマ応用 , プラズマ装置

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高圧で生成したVHF H2プラズマの特性

高圧で生成したVHF H₂プラズマの特性