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J-GLOBAL ID：200902234028725747   整理番号：09A0029864

シリコンを光らせる シリコンを光らせるにはどうすればよいのか=さまざまな発光機構とそれぞれの特徴=

著者 (2件)： 木村忠正 (電通大) ,  一色秀夫 (電通大)
資料名： 光アライアンス  (Optical Alliance)
巻： 20  号： 1  ページ： 1-7  発行年： 2009年01月01日 
JST資料番号： L1746A  ISSN： 0917-026X  CODEN： HARAEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンの発光として注目されたこれまでの報告には,1)Erイオンドープシリコンの波長1.54μmの発光(1985年),2)ポーラスシリコンの可視発光(1990年),3)シリコンRaman増幅(2003年)とシリコンRamanレーザ(2005年)がある。これらがシリコンフォトニクス分野にインパクトを与えた。ここでは,間接ギャップ半導体であるシリコンの発光効率を向上させるための工夫を,1)Siバルク結晶の発光効率の向上,2)低次元構造の適用,3)Erなどの希土類イオンの内殻準位間の発光遷移の利用,4)Si Si-Ge系材料,5)その他(Si基板上へのIII-V化合物半導体のエピタキシャル成長や貼合わせ,FeSi₂のエピ成長,高Q光共振器の組込み,プラズモン効果の利用など)としてまとめ,記述した。おわりにシリコンフォトニクス用光源の展開と展望について記述した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  発光 ,  多孔質シリコン ,  バンド構造 ,  ケイ化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  希土類元素 ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  ナノ結晶 ,  *ルミネセンス ,  キャリア再結合 ,  光源 ,  ヘテロ接合 ,  半導体材料 ,  バンドギャップ ,  量子効率
準シソーラス用語： SiGe ,  発光素子

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (1件)： シリコン