MATSUNAGA S について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
YOSHIDA S について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
KAWAJI T について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
Hosei Univ., Tokyo, JPN について
Journal of Applied Physics について
窒化ガリウム について
MOVPE について
半導体の格子欠陥 について
半導体薄膜 について
エピタキシャル について
GaN について
けい素 について
注入 について
封止 について
アニール について
電気特性 について