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J-GLOBAL ID：200902234367788766   整理番号：05A1036925

ゲルマニウム基板上のニッケルゲルマニウム化物の形成と熱安定性

Formation and Thermal Stability of Nickel Germanide on Germanium Substrate

著者 (5件)： ZHANG Qingchun (National Univ. Singapore, Singapore) ,  WU Nan (National Univ. Singapore, Singapore) ,  OSIPOWICZ Thomas (National Univ. Singapore, Singapore) ,  BERA Lakshmi Kanta (Inst. of Microelectronics, Singapore) ,  ZHU Chunxiang (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 42-45  ページ： L1389-L1391  発行年： 2005年11月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム基板上のニッケルゲルマニウム化物の形成と熱安定性...

シソーラス用語： *熱安定性 ,...
準シソーラス用語： NiGe ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (16件)：

• 1) H. Shang, K.-L. Lee, P. Kozlowski, C. D’Emic, I. Babich, E. Sikorshi, M. Ieong, H.-S. P. Wong, K. Guarini and W. Haensch: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 135.
• 2) H. Shang, H. Okorn-Schmidt, K. K. Chan, M. Copel, J. A. Ott, P. M. Kozlowski, S. E. Steen, S. A. Cordes, H.-S. P. Wong, E. C. Jones and W. E. Haensch: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 441.
• 3) C. O. Chui, H. Kim, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 18.3.1.
• 4) T. Morimoto, T. Ohguro, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata and H. Iwai: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 915.
• 5) S. P. Ashburn, M. C. Ozturk, J. J. Wortman, G. Harris, J. Honeycutt and D. M. Maher: J. Electron. Mater. 21 (1992) 81.

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム基板 ,  ニッケル ,  ゲルマニウム ,  熱安定性