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J-GLOBAL ID：200902234383661342   整理番号：09A1180231

Cu₂ZnSnS₄硫化薄膜の特性に対するプリカーサの順序効果

Precursors’ order effect on the properties of sulfurized Cu₂ZnSnS₄ thin films

著者 (4件)： FERNANDES P A (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  FERNANDES P A (Instituto Politecnico do Porto, Porto, PRT) ,  SALOME P M P (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT) ,  DA 3CUNHA A F (Universidade de Aveiro, Aveiro, PRT)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 24  号： 10  ページ： 105013,1-7  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜の特性に対するDCマグネトロンスパッタ成長時の金属プリカーサの順序効果について調べた。最も優れた順序は,Moに始まって,Mo/Zn/Sn/Cuであった。SEM/EDS解析の結果,上部のCu層はZnおよびSnの損失を低減し,CZTSの組成制御を改善した。XRDとRaman分光もこの順序が良好な結晶品質をもたらすことを示した。ホットポイントプローブにより,CZTSはP型で,容量電圧特性より多数キャリア密度は10¹⁸cm^-3に近いことが分かった。ただし,この成長方法はかなりな表面不規則性をもたらした。この点については,個々の金属プリカーサによる影響も推定された。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *混晶半導体 ,  半導体薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  プリカーサ ,  順序 ,  組成 ,  キャリア密度 ,  表面粗さ ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *薄膜 ,  品質 ,  結晶品質

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu2ZnSnS4 ,  硫化 ,  薄膜 ,  プリカーサ