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J-GLOBAL ID：200902234523340541   整理番号：07A0266892

面外磁化FePt/MgOトンネル接合からGaAsへの室温での電気スピン注入

Electrical Spin Injection from Out-of-Plane Magnetized FePt/MgO Tunneling Junction into GaAs at Room Temperature

著者 (4件)： SINSARP Asawin (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  MANAGO Takashi (Tokyo Univ. Sci., Yamaguchi, JPN) ,  TAKANO Fumiyoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  AKINAGA Hiro (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 1-3  ページ： L4-L6  発行年： 2007年01月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,面外磁化をもつFePt/MgO/GaAsベース発光...

シソーラス用語： *エレクトロルミネセンス ,...
準シソーラス用語： スピン注入 ,...

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分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (25件)：

• ZUTIC, I. Rev. Mod. Phys. 2004, 76, 323
• JONKER, B. T. Proc. IEEE. 2003, 91, 727
• RASHBA, E. I. Phys. Rev. B. 2000, 62, R16267
• FERT, A. Phys. Rev. B. 2001, 64, 184420
• ZHU, H. J. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 016601

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁化 ,  MgO ,  トンネル接合 ,  GaAs ,  室温 ,  スピン注入