β-Ga2O3(100)へき開表面のNH3窒化後の六方晶GaNへの再構成

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J-GLOBAL ID：200902234588083430 整理番号：04A0749823

β-Ga₂O₃(100)へき開表面のNH₃窒化後の六方晶GaNへの再構成

Reconstruction of the β-Ga₂O₃ (1 0 0) cleavage surface to hexagonal GaN after NH₃ nitridation

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資料名：
巻： 270 号： 3/4 ページ： 462-468 発行年： 2004年10月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

β-Ga₂O₃は...

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半導体薄膜

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