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J-GLOBAL ID：200902234630029328   整理番号：03A0393099

SiドープIn_0.23Ga_0.77N/GaN短周期超格子電流拡散層によるGaN発光ダイオード

GaN-Based Light Emitting Diodes with Si-Doped In_0.23Ga_0.77N/GaN Short Period Superlattice Current Spreading Layer

著者 (7件)： KUO C-H (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHANG S-J (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SU Y-K (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WU L-W (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN J F (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SHEU J-K (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  TSAI J-M (South Epitaxy Corp., Tainan, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2270-2272  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siドープn⁺型InGaN/GaN短周...

シソーラス用語： 窒化インジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (29件)：

• 1) T. C. Wen, S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, W. C. Lai C. H. Kuo, C. H. Chen, J. K. Sheu and J. F. Chen: IEEE Tran. Electron. Device 49 (2002) 1093.
• 2) L. W. Wu, S. J. Chang, T. C. Wen, Y. K. Su, W. C. Lai, C. H. Kuo, C. H. Chen and J. K. Sheu: IEEE J. Quantum. Electron. 38 (2002) 446.
• 3) C. H. Kuo, S. J. Chang, Y. K. Su, J. F. Chen, L. W. Wu, J. K. Sheu, C. H. Chen and G. C. Chi: IEEE Electron. Device Lett. 23 (2002) 240.
• 4) C. H. Ko, Y. K. Su, S. J. Chang, T. M. Kuan, C. I. Chiang, W. H. Lan, W. J. Lin and J. Webb: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2489.
• 5) P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3678.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドープ ,  GaN ,  短周期 ,  超格子 ,  拡散層 ,  発光ダイオード