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J-GLOBAL ID:200902235011323722   整理番号:09A0373888

原子及び分子レベルでの電気化学表面化学における最近の進歩

Recent Progress in Electrochemical Surface Science with Atomic and Molecular Levels
著者 (8件):
資料名:
巻: 77  号:ページ: 2-20  発行年: 2009年04月05日 
JST資料番号: G0072A  ISSN: 1344-3542  CODEN: EECTFA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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1980年半ばまで,原子及び分子レベルで溶液中の電極表面の構造測定に使えるin situ法はほとんどなかった。今日では,電気化学走査トンネル顕微鏡(EC-STM),赤外反射吸収分光法(IRAS),表面増強Raman散乱(SERS),及び表面増強赤外反射吸収分光法(SEIRAS),第二高調波発生(SHG),和周波数発生(SFG),及び表面X線散乱(SXS)のような多くの強力なin situ法が,原子及び/又は分子分解能で電位制御下に電極表面を調べるために広く使われるようになった。本レビューの目的は原子及び分子レベルでの固液界面でのin situ法の進歩を明らかにすることである。選択したいくつかのトピックス,特に金属表面上の吸着アニオン,一酸化炭素酸化並びに酸素還元の電極触媒作用,及び単結晶電極表面の直接観察に注目した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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電極過程  ,  固-液界面  ,  金属の表面構造 
引用文献 (273件):
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