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J-GLOBAL ID：200902235047114682   整理番号：07A1013838

Ni-フェリチンパターンを用いた結晶核位置制御によるpoly-Si薄膜の作製

著者 (8件)： 越知誠弘 (奈良先端科学技術大学院大) ,  菅原祐太 (奈良先端科学技術大学院大) ,  三浦篤志 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  冬木隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  西尾和晃 (松下電器産業) ,  山下一郎 (奈良先端科学技術大学院大) ,  山下一郎 (松下電器産業)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 2  ページ： 850  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 多結晶 ,...
準シソーラス用語： *非晶質けい素

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  結晶核 ,  位置制御 ,  Si薄膜 ,  作製