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J-GLOBAL ID：200902235088604120   整理番号：04A0357157

正確に(001)配向したGe/Si仮想基板上へのGaAsベース構造の直接成長:構造欠陥密度の低減とCW電気注入下の室温でのエレクトロルミネセンスの観察

Direct growth of GaAs-based structures on exactly (001)-oriented Ge/Si virtual substrates: reduction of the structural defect density and observation of electroluminescence at room temperature under CW electrical injection

著者 (9件)： CHRIQUI Y (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  LARGEAU L (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  PATRIARCHE G (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  SAINT-GIRONS G (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  BOUCHOULE S (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  SAGNES I (Lab. Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  BENSAHEL D (ST Microelectronics, Crolles, FRA) ,  CAMPIDELLI Y (ST Microelectronics, Crolles, FRA) ,  KERMARREC O (ST Microelectronics, Crolles, FRA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 265  号： 1/2  ページ： 53-59  発行年： 2004年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正確に(001)配向したGe/Si仮想基板(VS)上に成長し...

シソーラス用語： キャリア注入 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (12件)： 配向 ,  Ge ,  Si ,  仮想 ,  GaAs ,  成長 ,  欠陥密度 ,  CW ,  注入 ,  室温 ,  エレクトロルミネセンス ,  観察