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J-GLOBAL ID：200902235364906357   整理番号：08A0677982

AlGaNチャネル高電子移動度トランジスタにおける著しい破壊電圧増大

Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors

著者 (7件)： NANJO Takuma (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Nanoscience Dev. and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan and Dep. of Electronics and Applied Physics ...) ,  SUITA Muneyoshi (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  OISHI Toshiyuki (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  ABE Yuji (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  TOKUDA Yasunori (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1, Tsukaguchi-honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Nanoscience Dev. and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, Japan and Dep. of Electronics and Applied Physics ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 26  ページ： 263502  発行年： 2008年06月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電子移動度トランジスタ(HEMT)における従来のGaNに関して,より広いバンドギャップのAlGaNによるチャネル層置換は,破壊電圧を向上させる有効な方法である。これらのAlGaNチャネルHEMTにおける著しい破壊電圧向上を実証した。得られた最大破壊電圧は,3及び10μmのゲート-ドレイン距離を有するAl_0.53Ga_0.47N/Al_0.38Ga_0.62N HEMTにおいて,それぞれ463及び1650Vであった。この結果は,高周波HEMTの更なる高電力動作に対して非常に有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  バンドギャップ ,  *チャネル ,  *置換
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  *破壊電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  チャネル ,  高電子移動度トランジスタ ,  破壊電圧