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J-GLOBAL ID：200902236072069914   整理番号：03A0783024

転換アルミニウム膜系担体物質の使用による単一壁型炭素ナノチューブの化学蒸着育成

Support materials based on converted aluminum films for chemical vapor deposition growth of single-wall carbon nanotubes

著者 (6件)： HONGO H (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  NIHEY F (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  ICHIHASHI T (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  OCHIAI Y (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  YUDASAKA M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA S (NEC Corp., Tsukuba, JPN)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 380  号： 1/2  ページ： 158-164  発行年： 2003年10月13日 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一壁型炭素ナノチューブ(SWNT)の化学蒸着法(CVD)に...

シソーラス用語： *炭素 ,...
準シソーラス用語： シリカ

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分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： 転換 ,  アルミニウム膜 ,  担体 ,  物質 ,  炭素ナノチューブ ,  化学蒸着