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J-GLOBAL ID：200902236752087119   整理番号：07A0215413

水素密度を制御した水素化非晶質窒化炭素薄膜 電界放出素子への応用

Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride Films with Controlled Hydrogen Densities-Application to Electric Field Emission Devices

著者 (4件)： ITO Haruhiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  KOGURE Yukihisa (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OKI Satoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SAITOH Hidetoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： New Diamond and Frontier Carbon Technology  (New Diamond and Frontier Carbon Technology)
巻： 16  号： 5  ページ： 255-266  発行年： 2006年 
JST資料番号： L1952A  ISSN： 1344-9931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質窒化炭素や水素化した非晶質窒化炭素の機械特性や電界放出...

シソーラス用語： *ガラス状炭素 ,...
準シソーラス用語： コールドカソード ,...

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  電解装置  (XE02030E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 水素 ,  密度 ,  水素化 ,  非晶質 ,  窒化 ,  炭素薄膜 ,  電界放出素子 ,  応用