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J-GLOBAL ID：200902236794554728   整理番号：06A0684608

高効率GaN系発光ダイオードのためのp-GaNの選択湿式エッチング

Selective Wet Etching of p-GaN for Efficient GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (9件)： NA Seok-In (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  HA Ga-Young (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  HAN Dae-Seob (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Seok-Soon (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM J-Yeon (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  LIM Jae-Hong (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  KIM Dong-Joon (Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon, KOR) ,  MIN Kyeong-Ik (Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon, KOR) ,  PARK Seong-Ju (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 18  号： 13/16  ページ： 1512-1514  発行年： 2006年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッチングマスクを用いず,KOHとエチレングリコールの混合溶...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高効率 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  湿式エッチング