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J-GLOBAL ID：200902237182926061   整理番号：09A0796135

Si CMOSを超える科学と技術用のGa₂O₃(Gd₂O₃)の高いk誘電体を持つInGaAs金属酸化物の半導体デバイス

InGaAs Metal Oxide Semiconductor Devices with Ga₂O₃(Gd₂O₃) High-κ Dielectrics for Science and Technology beyond Si CMOS

著者 (4件)： HONG M. ,  KWO J. ,  LIN T. D. (National Tsing Hua Univ., TWN) ,  HUANG M. L. (National Tsing Hua Univ., TWN)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 34  号： 7  ページ： 514-521  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs上のゲート誘電体としてGa₂O₃(Gd₂O₃)(GGO)が優れている。1nmの超薄膜が作製可能になり,界面状態密度が10¹¹cm^-2eV^-1,V_th=±1Vで10^-8~10^-9A/cm²の低漏れ電流密度のMOSFETが達成されている。またGGO/InGaAsの高温(800~900°C)安定性が確認されている。さらに反転チャネルを持つMOSFETの作製に成功している。各種ゲート誘電体の性能,ゲート絶縁膜の蒸着法,研究開発の歴史を概観した。電流電圧特性,容量電圧特性を示した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *MOSFET ,  半導体薄膜 ,  *酸化ガリウム ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  *超薄膜 ,  漏れ電流 ,  *熱安定性 ,  *酸化ガドリニウム ,  誘電体 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 高k誘電体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  CMOS ,  科学 ,  Ga2O3 ,  Gd2O3 ,  誘電体 ,  InGaAs ,  金属酸化物 ,  半導体デバイス