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J-GLOBAL ID:200902237293674754   整理番号:08A0541593

77Kに於ける有機金属CVD法でYBCOを被覆したコンダクタの繰り返しストレス印加による疲労損傷の二つの異なるメカニズム

Two different mechanisms of fatigue damage due to cyclic stress loading at 77 K for MOCVD-YBCO-coated conductors
著者 (6件):
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巻: 21  号:ページ: 054006,1-10  発行年: 2008年05月 
JST資料番号: T0607A  ISSN: 0953-2048  CODEN: SUSTEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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77Kで引っ張り疲労試験を有機金属CVD法(MOCDV)で成膜したYBCOを被覆したコンダクタに実施した。S-Nの関係,繰り返し負荷に於ける臨界電流の変化と顕微鏡による疲労損傷を調査した。106サイクルに於ける疲労強度はσmax=1300 MPaでストレス比が0.5と0.1の場合,890MPaである。破壊に至るストレスサイクル数により二つの異なる疲労損傷の機構が観察された。一つの破断メカニズムに於いて,疲労挙動は全般的な破断が104-105で発生すると言う特徴がある。この試験サンプルでは全面的な破断が起きる前,負荷を取り除くと臨界電流は劣化しない。しかしながら銀の表面に細いスリップバンドが見られ,破断したサンプルにはハステロイC-276の表面に疲労クラックが見出された。これらの結果は繰り返しストレスによる全面的な破断はハステロイ基板の疲労によることを示している。もう一方の破断メカニズムに於いて,全面的な破断は106サイクルでも発生しないが,105サイクル以降Icが少し減少することが検出されている。ハステロイの表面には疲労クラックは見出せないが,銀表面に疲労クラックの初期段階に対応する深いスリップバンドが観察される。これらの結果から我々は高サイクル数に於けるIcの減少は銀安定化層の疲労のせいと結論した。
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  疲れ一般 

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