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J-GLOBAL ID：200902237323790410   整理番号：08A0638809

疎水性室温イオン液体中のSn(II)/Sn電気化学

Electrochemistry of Sn(II)/Sn in a hydrophobic room-temperature ionic liquid

著者 (4件)： TACHIKAWA Naoki (Dep. of Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ. Hiyoshi 3-14-1, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa ...) ,  SERIZAWA Nobuyuki (Dep. of Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ. Hiyoshi 3-14-1, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa ...) ,  KATAYAMA Yasushi (Dep. of Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ. Hiyoshi 3-14-1, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa ...) ,  MIURA Takashi (Dep. of Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Technol., Keio Univ. Hiyoshi 3-14-1, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa ...)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 53  号： 22  ページ： 6530-6534  発行年： 2008年09月20日 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温イオン液体1-n-ブチル-1-メチルピリジニウムビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミド(BMPTFSI)中,25°Cで,Sn(II)/Sn電気化学反応を研究した。2電子移動反応により,ほぼ100%の電流効率で,Sn金属のアノード溶解は進行した。Cu基板へのSn電着は,Sn(II)を含むBMPTFSI中で可能である。Sn(II)/Snの公式電位は-0.57V(対Ag/Ag(I))である。クロノアンペロメトリー法とクロノポテンシオメトリー法から,Sn(II)の拡散係数を約1×10^-7cm²・s^-1と推定した。拡散制御下,クロノアンペロメトリーにより,多結晶Pt基板上へのSn核形成の初期段階は三次元進行性核形成に分類されると分り,核形成速度は結晶成長速度より速いことを示唆した。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： イミド ,  窒素複素環化合物 ,  *イオン液体 ,  *電気化学反応 ,  *スズ ,  電子移動反応 ,  電流効率 ,  *陽極溶解 ,  基板 ,  銅 ,  電着 ,  クロノアンペロメトリー ,  クロノポテンシオメトリー ,  拡散係数 ,  多結晶 ,  白金 ,  核形成 ,  成長速度 ,  結晶成長 ,  *疎水性 ,  ピリジン類
準シソーラス用語： アノード溶解

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  融解塩  (CB05050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 疎水性 ,  室温イオン液体 ,  Sn ,  電気化学