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J-GLOBAL ID：200902237333607583   整理番号：05A0225717

Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術

Silicon on Thin BOX: Novel CMOSFET for Low-Power and High-Performance Application Featuring Wide-Range Back-Bias Control

著者 (9件)： 土屋龍太 (日立 中央研) ,  堀内勝忠 (日立 中央研) ,  木村紳一郎 (日立 中央研) ,  山岡雅直 (日立 中央研) ,  河原尊之 (日立 中央研) ,  前川繁登 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  一法師隆志 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  大路譲 (ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部) ,  松岡秀行 (日立 中央研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 577(SDM2004 209-221)  ページ： 39-42  発行年： 2005年01月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 新構造であるSilicon on Thin BOXデバイスを...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• TSUCHIYA, R. Symp. VLSI Tech., 2002. 2002, 150
• KRIVOKAPIC, Z. IEDM Tech. Dig., 2002. 2002, 271
• YANG, I. Y. IEEE trans. Electron Devices. 1997, 44, 822
• OH, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 2140
• OHTOU, T. Ext. Abst. SSDM, 2003. 2003, 272

タイトルに関連する用語 (5件)： バック ,  バイアス ,  低電力 ,  高性能 ,  BOX