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J-GLOBAL ID：200902237814720391   整理番号：09A0087164

高周波プラズマCVDで合成したBCN膜の評価

Characterization of BCN films synthesized by radiofrequency plasma enhanced chemical vapor deposition

著者 (5件)： ABDUL MANNAN Md. (Dep. of Chemistry and Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., 1 Honjo, Saga 840-8502, JPN) ,  NAGANO Masamitsu (Dep. of Chemistry and Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., 1 Honjo, Saga 840-8502, JPN) ,  KIDA Tetsuya (Dep. of Chemistry and Applied Chemistry, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., 1 Honjo, Saga 840-8502, JPN) ,  HIRAO Norie (Synchrotron Radiation Res. Unit, Quantum Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai-mura, Ibaraki ...) ,  BABA Yuji (Synchrotron Radiation Res. Unit, Quantum Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, Tokai-mura, Ibaraki ...)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 70  号： 1  ページ： 20-25  発行年： 2009年01月 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波プラズマCVDによりSi(100)基板上に炭窒化ホウ素(BCN)膜を合成した。前駆体にはトリス(ジメチルアミノ)ボランを用いた。作業圧力は2×10^-1Torrとし,高周波電力を400~800Wと変化させた。FTIRにより,sp²結合のBCN相が生成したことを確認した。X線光電子分光によれば,B原子はCおよびN原子に結合してBCN原子混成配位を形成し,その組成はB₅₂C₁₂N₃₆(試料1:電力400W),B₅₂C₁₀N₃₈(試料2:電力500W),B₄₆C₁₈N₃₆(試料3:電力800W)であった。X線吸収端微細構造(NEXAFS)測定によれば,B原子はN原子に結合しているだけでなくC原子にも結合し,sp²-BCN原子混成の種々の配位を形成した。NEXAFSの偏光依存性によれば,sp²-BCN膜の支配的な混成配位は,Si基板に垂直に配向していることが示唆された。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  ウエハ【IC】 ,  FTIR分光法 ,  赤外吸収スペクトル ,  XANES ,  *X線光電子スペクトル ,  半導体薄膜 ,  セラミック膜 ,  配位混合 ,  炭化物 ,  窒化物 ,  *ホウ素化合物 ,  RF放電 ,  化合物半導体 ,  偏光依存性 ,  シリコンウエハ ,  *NEXAFS
準シソーラス用語： Si基板 ,  *X線吸収端微細構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

物質索引 (1件)： トリス(ジメチルアミノ)ボラン

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波 ,  プラズマCVD ,  評価