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文献
J-GLOBAL ID:200902237814720391   整理番号:09A0087164

高周波プラズマCVDで合成したBCN膜の評価

Characterization of BCN films synthesized by radiofrequency plasma enhanced chemical vapor deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 70  号:ページ: 20-25  発行年: 2009年01月
JST資料番号: C0202A  ISSN: 0022-3697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高周波プラズマCVDによりSi(100)基板上に炭窒化ホウ素(BCN)膜を合成した。前駆体にはトリス(ジメチルアミノ)ボランを用いた。作業圧力は2×10-1Torrとし,高周波電力を400~800Wと変化させた。FTIRにより,sp2結合のBCN相が生成したことを確認した。X線光電子分光によれば,B原子はCおよびN原子に結合してBCN原子混成配位を形成し,その組成はB52C12N36(試料1:電力400W),B52C10N38(試料2:電力500W),B46C18N36(試料3:電力800W)であった。X線吸収端微細構造(NEXAFS)測定によれば,B原子はN原子に結合しているだけでなくC原子にも結合し,sp2-BCN原子混成の種々の配位を形成した。NEXAFSの偏光依存性によれば,sp2-BCN膜の支配的な混成配位は,Si基板に垂直に配向していることが示唆された。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  X線スペクトル一般  ,  電子分光スペクトル 
物質索引 (1件):
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