文献

J-GLOBAL ID：200902237986222288   整理番号：05A0542097

Bドープ型Ib基板に育成した{111}配向ダイヤモンド薄膜とpn接合

{111}-oriented diamond films and p/n junctions grown on B-doped type Ib substrates

著者 (7件)： TAVARES C. (LEPES, CNRS, Grenoble, FRA) ,  TAJANI A. (LEPES, CNRS, Grenoble, FRA) ,  BARON C. (LEPES, CNRS, Grenoble, FRA) ,  JOMARD F. (UVSQ, Meudon, FRA) ,  KOIZUMI S. (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  GHEERAERT E. (LEPES, CNRS, Grenoble, FRA) ,  BUSTARRET E. (LEPES, CNRS, Grenoble, FRA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 14  号： 3/7  ページ： 522-525  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pn接合に加え,リンやホウ素でドープした{111}配向ダイヤ...

シソーラス用語： ホウ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0542097&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0498A") }}

分類 (3件)： その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  配向 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  PN接合