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J-GLOBAL ID：200902238191866647   整理番号：04A0469246

シリコン系基板上でのカーボンナノチューブの化学気相成長における触媒の効果

Effect of Catalysts on Carbon Nanotube Growth on Silicon Substrates in Chemical Vapor Deposition

著者 (3件)： 本間芳和 (NTT 物性科学基礎研) ,  小林慶裕 (NTT 物性科学基礎研) ,  前田文彦 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 25  号： 6  ページ： 339-344  発行年： 2004年06月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブの化学気相蒸着(CVD)でのシリコン基板...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...
準シソーラス用語： 黒鉛

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分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

引用文献 (23件)：

• 1) S. Iijima and T. Ichihashi: Nature 363, 603 (1993).
• 2) M. Kusunoki, T. Suzuki, T. Hirayama, N. Shibata and K. Kaneko: Appl. Phys. Lett. 77, 531 (2000).
• 3) V. Derycke, R. Martel, M. Radosavljevic, F.M. Ross and Ph. Avouris: Nano Lett. 2, 1043 (2002).
• 4) 例えば,次の文献に詳しく記述されている:
•    S. Maruyama, R. Kojima, Y. Miyauchi, S. Chiashi and M. Kohno: Chem. Phys. Lett. 360, 229 (2002).

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  カーボンナノチューブ ,  化学気相成長 ,  触媒