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J-GLOBAL ID：200902238296282667   整理番号：08A0198243

SSMBEによるSi(111)上3C-SiCの成長に対する炭化および基板温度の影響

Effects of carbonization and substrate temperature on the growth of 3C-SiC on Si(111) by SSMBE

著者 (5件)： LIU Zhongliang (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  LIU Jinfeng (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  REN Peng (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  WU Yuyu (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN) ,  XU Pengshou (National Synchrotron Radiation Lab., Univ. of Sci. and Technol. of China, Hefei 230029, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 254  号： 10  ページ： 3207-3210  発行年： 2008年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体源分子ビームエピタキシー(SSMBE)によって,異なる炭化温度および基板温度で,Si(111)基板上に3C-SiCを成長させた。in situ反射高エネルギー電子線回折(RHEED),X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),およびX線光電子分光(XPS)を用いてSiC薄膜の特性を解析した。810°Cの炭化温度が表面炭化に最適であることが分かった。基板温度100°CでSi上に成長させたSiC薄膜の特性が最上だった。より高温で成長させた試料の結晶特性は劣っていて,これはSiCとSi間の熱膨張係数の大きな相違のためであり,試料をより高温の基板温度から室温に冷却したとき,より多くのディスロケーションが生じる原因となっている。さらに,より高温で成長させたSiC薄膜は単一ピットの面積とその総面積がより大きくなっており,特性が悪くなっている。より低温で成長させた試料では,より多数のSi原子のせいで,結晶特性の劣化が起きている。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素 ,  基板 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  *炭化 ,  *基板温度 ,  熱膨張係数 ,  転位【結晶】 ,  *3C-炭化ケイ素 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  SSMBE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  3C-SiC ,  成長 ,  炭化 ,  基板温度