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J-GLOBAL ID：200902238331536251   整理番号：05A0154226

高性能サブ80nm用途のためのバルクSi上新型マルチチャネル電界効果トランジスタ(McFET)

A Novel Multi-channel Field Effect Transistor (McFET) on Bulk Si for High Performance Sub-80nm Application

著者 (9件)： KIM S M (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  YOON E J (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  JO H J (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  LI M (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  OH C W (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  LEE S Y (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  YEO K H (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM M S (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR) ,  KIM S H (Samsung Electronics, Kyoungi-Do, KOR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004  ページ： 639-642  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダブルゲートトランジスタ中ではFinFETが一般的なデバイス...

シソーラス用語： *SRAM ,...
準シソーラス用語： McFET ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  サブ ,  用途 ,  バルク ,  Si ,  マルチチャネル ,  電界効果トランジスタ