文献

J-GLOBAL ID：200902238446241751   整理番号：04A0189590

高信頼度多孔質low-κ/Cu集積用の低圧CMP

Low-Pressure CMP for Reliable Porous Low-k/Cu Integration

著者 (9件)： KONDO S (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  TOKITOH S (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  YOON B U (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  NAMIKI A (Novellus Systems Japan, Inc., Kanagawa-ken, JPN) ,  SONE A (Novellus Systems Japan, Inc., Kanagawa-ken, JPN) ,  OHASHI N (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  MISAWA K (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  SONE S (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN) ,  KOBAYASHI N (Semiconductor Leading Edge Technol., Inc.(Selete), Ibaraki-ken, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference  (Proceedings of the IEEE 2003 International Interconnect Technology Conference)
ページ： 86-88  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030147  ISBN： 0-7803-7797-4  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質low-κ膜を剥離損傷から防ぐために,300mmウエハ...

シソーラス用語： 多孔質体 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0189590&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K20030147") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 信頼度 ,  多孔質 ,  Cu ,  集積 ,  低圧 ,  CMP