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J-GLOBAL ID：200902238536841146   整理番号：09A0713397

Siバッファ層とSiO₂基板を用いて作製したSi/GeB多層膜の結晶度と熱電気的性質

Crystallinity and Thermoelectric Properties of Si/GeB Multilayers Prepared with Si Buffer Layer and SiO₂ Substrates

著者 (3件)： MATOBA Akinari (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SASAKI Kimihiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KUMEDA Minoru (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 6,Issue 1  ページ： 061201.1-061201.4  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/GeB多層膜をイオンビームスパッタリング法により作製し,結晶度が熱電気的性質に及ぼす影響を調べた。試料の結晶度はSiバッファ層とSiO₂層を用いて制御した。Siバッファ層上に作製した試料はバッファ層を持たないSiウエハ上に作製した試料と似た性質を示した。また,Siバッファ層上に作製した試料の電気抵抗率は,表面洗浄効果故にバッファ層を持たないSiウエハ上に作製した試料のそれよりも小さかった。一方,SiO₂上に作製した試料の熱電気的性質は悪かった。これらの結果は結晶度と周期性の変化に起因し,これらはキャリア閉込め効果に関係した。焼なまし後,多層構造は急速に劣化し,熱電気出力の符号が変化した。これは多層構造の崩壊による界面の結晶欠陥に起因すると考えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多層膜 ,  イオンビームスパッタリング ,  熱電効果 ,  性質 ,  結晶度 ,  バッファ層 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  電気抵抗率 ,  焼なまし ,  格子欠陥 ,  二酸化ケイ素 ,  ゲルマニウム化合物 ,  ホウ化物 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *熱電気的性質 ,  Siウエハ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B 47(1993) 12727.
• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B 47(1993) 16631.
• R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, and B. O’Quinn: Nature 413(2001) 597.
• K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, and K. Koumoto: Appl. Phys. Express 1(2008) 015007.
• B. Yang, W. L. Liu, J. L. Lee, K. L. Wang, and G. Chen: Appl. Phys. Lett. 81(2002) 3588.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  バッファ層 ,  SiO2 ,  作製 ,  多層膜 ,  結晶度 ,  熱電気的性質