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J-GLOBAL ID：200902238613441350   整理番号：07A1013914

フッ素注入による欠陥制御を行ったDRAMセルの電子スピン共鳴分光評価

著者 (4件)： 大崎純一 (筑波大) ,  梅田享英 (筑波大) ,  小此木堅祐 (エルピーダメモリ) ,  大湯静憲 (エルピーダメモリ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 68th  号： 2  ページ： 875  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *DRAM ,...

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分類 (2件)： 金属・半導体のEPR  (BM07022M) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： フッ素 ,  注入 ,  欠陥 ,  DRAM ,  セル ,  電子スピン共鳴 ,  分光 ,  評価