文献
J-GLOBAL ID：200902238685845723   整理番号：04A0304621

遅い陽電子で探測した酸素注入シリコン中の空格子点-酸素複合体の同定

Identification of vacancy-oxygen complexes in oxygen-implanted silicon probed with slow positrons
著者 (6件)：
FUJINAMI M

FUJINAMI M について

(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)

Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN について

, 
MIYAGOE T

MIYAGOE T について

(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)

Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN について

, 
SAWADA T

SAWADA T について

(Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)

Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN について

, 
SUZUKI R

SUZUKI R について

(National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

, 
OHDAIRA T

OHDAIRA T について

(National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)

National Inst Advanced Industiral Sci. and Technol., Tsukuba, JPN について

, 
AKAHANE T

AKAHANE T について

(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)

National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN について


資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について


巻： 95  号： 7  ページ： 3404-3410  発行年： 2004年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
酸素をイオン注入したSi中の欠陥とそのアニーリング挙動を,可...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体

半導体 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0304621&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  陽電子消滅 
(BK16052L)

陽電子消滅 について

タイトルに関連する用語 (8件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
陽電子

陽電子 について

, 
探測

探測 について

, 
酸素注入

酸素注入 について

, 
シリコン

シリコン について

, 
空格子点

空格子点 について

, 
酸素

酸素 について

, 
複合体

複合体 について

, 
同定

同定 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM