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J-GLOBAL ID：200902238772609599   整理番号：08A1214873

AlGaAs系フォトニック結晶線欠陥導波路中の誘導Raman散乱による光増幅

Light amplification by stimulated Raman scattering in AlGaAs-based photonic-crystal line-defect waveguides

著者 (6件)： ODA Hisaya (Chitose Inst. of Sci. and Technol., 758-Bibi, Chitose, Hokkaido 066-8655, JPN) ,  INOUE Kuon (Chitose Inst. of Sci. and Technol., 758-Bibi, Chitose, Hokkaido 066-8655, JPN) ,  YAMANAKA Akio (Chitose Inst. of Sci. and Technol., 758-Bibi, Chitose, Hokkaido 066-8655, JPN) ,  IKEDA Naoki (International Center for Materials Nanoarchitectronics, National Inst. for Material Sciences (NIMS), Tsukuba ...) ,  SUGIMOTO Yoshimasa (International Center for Materials Nanoarchitectronics, National Inst. for Material Sciences (NIMS), Tsukuba ...) ,  ASAKAWA Kiyoshi (Center for Tsukuba Advanced Res. Alliance (TARA), Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 5  ページ： 051114  発行年： 2008年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一線欠陥のフォトニック結晶スラブ導波路中の誘導Raman散乱により,1550nm付近の光信号の増幅実験を行った。二光子吸収を避けるために空気ブリッジ型AlGaAs系導波路試料を用いた。20MHz及び連続レーザで動作する幅5psの短い光パルスをそれぞれポンプ(励起)とプローブ(信号)に用いた。その結果,長さ1.0mmの試料に対してパルスポンプエネルギー22pJで正味利得≒3dB(最大)を実現した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウムアルミニウム ,  フォトニックバンドギャップ ,  レーザ材料 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  格子欠陥 ,  光導波路 ,  *誘導Raman散乱 ,  *光増幅 ,  連続レーザ ,  *フォトニック結晶 ,  線欠陥

分類 (1件)： レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaAs ,  フォトニック結晶 ,  線欠陥 ,  導波路 ,  誘導Raman散乱 ,  光増幅