UVパルスレーザを伴う迅速TOFシステムを用いてのダイヤモンド薄膜中の電荷キャリアの動特性の測定

OSHIKI Y.; KANEKO J.h.; FUJITA F.; HOMMA A.; WATANABE H.; MEGURO K.; YAMAMOTO Y.; IMAI T.; SATO K.; TSUJI K.; KAWAMURA S.; FURUSAKA M.

文献

J-GLOBAL ID：200902238810377524 整理番号：08A0569200

UVパルスレーザを伴う迅速TOFシステムを用いてのダイヤモンド薄膜中の電荷キャリアの動特性の測定

Measurement of charge carrier dynamics in diamond thin films using a fast TOF system with a UV pulsed laser

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資料名：
巻： 17 号： 4-5 ページ： 833-837 発行年： 2008年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

CVDホモエピタキシャルダイヤ薄膜中の電荷キャリアの動特性を評価した。これらの薄膜の厚さは4.5~14μmであった。150psの時間分解能を持つ迅速TOFシステムを用いて測定を行った。このシステムは213nmUVパルスレーザの局所照射機構を採用した。電荷キャリアの運動により生じた誘発電流を1次元近似法により模擬した。次いで,シミュレーションによって確認された誘発電流の物理モデルを用いて測定信号を分析した。評価したダイヤ膜中の電子とホールの最良の寿命τは両方の電荷キャリアに対して1.8±0.3nsであった。しかし,ドリフト速度とトラップの平均自由行程は決定されなかったが,トラップなしで十分な電荷キャリアが一方の側の電極に到達しなかったからである。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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その他の無機化合物の薄膜 , 炭素とその化合物

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