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J-GLOBAL ID：200902238862343598   整理番号：09A0645861

ArF液浸およびEUVリソグラフィーによるDRAMセルパターニングの比較研究

Comparative Study of DRAM Cell Patterning between ArF Immersion and EUV Lithography

著者 (12件)： EOM Tae-Seung (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Sarohan (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Jun-Taek (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  LIM Chang-Moon (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KOO Sunyoung (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  HYUN Yoon-Suk (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM HyeongSoo (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  NAM Byoung-Ho (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM Chang-Reol (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  MOON Seung-Chan (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  KWAK Noh-Jung (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR) ,  PARK Sungki (Hynix Semiconductor Inc., Kyoungki-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7271  号： Pt.1  ページ： 727115.1-727115.10  発行年： 2009年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40nm半ピッチ以下の技術ノードに対応可能な二種類の有望なリソグラフィー技術,すなわちEUV(極端紫外)リソグラフィーとArF液浸二重パターニングリソグラフィーのパターニング性能を比較した。この比較は製作したサブ40nmのArF用位相シフトマスクとEUV用LTEMマスクのシミュレーションと実験に基づいている。試験パターンは二種類のDRAMセルパターン(煉瓦壁型及び接触孔型)とライン-スペースパターンを使用し,シミュレーションは自家製ツール(拡散空中像モデル)と厳密EMFを用いて行った。パターニング性能は分解能限界,パターン忠実度,遮蔽効果,マスク誤差増強因子,CD均一性のスリット位置と方向依存性,プロセスウインドウ(露光許容度)などを比較した。ArFの場合はすべての層に対して二重パターニングが必要となるパターンを形成し,またEUVでは単一パターニングによるパターンを形成して,いずれも妥当な品質を得ることができた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *極端紫外線 ,  *DRAM ,  *セル構造 ,  *パターン形成 ,  比較試験 ,  走査装置 ,  アルゴン化合物 ,  フッ化物 ,  計算機シミュレーション ,  実証実験 ,  位相シフト ,  フォトマスク
準シソーラス用語： フッ化アルゴン ,  *液浸リソグラフィー ,  露光装置

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ARF ,  液浸 ,  EUVリソグラフィー ,  DRAM ,  ターニング ,  研究