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J-GLOBAL ID：200902239262520891   整理番号：03A0381306

非対称単一電子トンネリングトランジスタのコンパクト解析モデル

A Compact Analytical Model for Asymmetric Single-Electron Tunneling Transistors.

著者 (2件)： INOKAWA H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50  号： 2  ページ： 455-461  発行年： 2003年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子トンネリングトランジスタ(SETT)は,微細寸法で電...

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非対称 ,  単一電子 ,  トンネリング ,  トランジスタ ,  コンパクト ,  解析モデル