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J-GLOBAL ID:200902239388207900   整理番号:05A0592706

N2O中でアニールした4H-SiC MOS界面の特性

Characteristics of 4H-SiC MOS interface annealed in N2O
著者 (9件):
資料名:
巻: 49  号:ページ: 896-901  発行年: 2005年06月 
JST資料番号: H0225A  ISSN: 0038-1101  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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1150°C以下のN2O中でアニールした...
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