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J-GLOBAL ID：200902239388207900   整理番号：05A0592706

N₂O中でアニールした4H-SiC MOS界面の特性

Characteristics of 4H-SiC MOS interface annealed in N2O

著者 (9件)： FUJIHIRA Keiko (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  TARUI Yoichiro (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  IMAIZUMI Masayuki (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  OHTSUKA Ken-ichi (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  TAKAMI Tetsuya (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  SHIRAMIZU Tatsuya (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  KAWASE Kazumasa (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  TANIMURA Jyunji (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN) ,  OZEKI Tatsuo (Advanced Technol. R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 8-1-1 Tsukaguchi-Honmachi, Amagasaki, Hyogo 661-8661, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 49  号： 6  ページ： 896-901  発行年： 2005年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1150°C以下のN₂O中でアニールした...

シソーラス用語： 酸化二窒素 ,...
準シソーラス用語： 界面状態

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： N2O ,  アニール ,  4H-SiC ,  MOS ,  界面