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J-GLOBAL ID：200902239564822897   整理番号：09A0821891

レーザ支援原子プローブによるn-及びp-型金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのゲート電極におけるドーパント分布

Dopant distribution in gate electrode of n- and p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor by laser-assisted atom probe

著者 (7件)： INOUE K. (The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN) ,  YANO F. (MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN) ,  NISHIDA A. (MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN) ,  TAKAMIZAWA H. (The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN) ,  TSUNOMURA T. (MIRAI-Selete, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN) ,  NAGAI Y. (The Oarai Center, Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Oarai, Ibaraki 311-1313, JPN) ,  HASEGAWA M. (Cyclotron and Radioisotope Center, Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 4  ページ： 043502  発行年： 2009年07月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-型(n-)及びp-型(p-)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構造の多結晶Siゲートにおける三次元ドーパント分布を,レーザ支援三次元原子プローブにより研究した。n-MOSFETとp-MOSFETと間のドーパント分布における著しい差をはっきりと観測した。n-MOSFETゲートにおいて,As及びP原子が結晶粒界,及びゲートとゲート酸化物との間の界面に偏析した。ゲート酸化物へのAs及びP原子の拡散は観測されなかった。他方,p-MOSFETにおいて,結晶粒界あるいは界面におけるB原子の偏析は観測されず,ゲート酸化物へのB原子の拡散が直接観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOSFET ,  ポリシリコン ,  *三次元 ,  *レーザ ,  *ヒ素 ,  *リン ,  *ホウ素 ,  結晶粒界 ,  界面 ,  *偏析 ,  *拡散
準シソーラス用語： *N型MOSFET ,  *P型MOSFET ,  *ゲート電極 ,  *多結晶シリコン ,  *ドーパント分布 ,  *原子プローブ ,  ゲート酸化物

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： レーザ ,  支援 ,  原子プローブ ,  型 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート電極 ,  ドーパント ,  分布